传联电22nm高压制程最快明年首季试产验证
，据台媒《经济日报》报道，联电与三星合作开发的22nm高压制程最快明年首季开始试产验证，届时将为三星代工新的OLED驱动IC。
图源：经济日报
据悉，联电方面证实，22nm高压制程正因应客户需求开发中，但无法透露客户名称。台媒分析称目前OLED驱动IC厂商中仅有三星有能力导入联电的22nm高压制程，最快明年第1季开始小量试产验证，初期产能数千片，之后逐步放大至数万片。
该报道指出，联电22nm制程与原来28nm制程相比，能够缩减10％的晶粒面积，且拥有更佳功率效能比和更强的射频性能。22nm高压制程则从原来可支持的1.8V／3.3V／5V／8V提高至最大到10V／18V。
（校对/Yuki）
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